Работать модуль памяти в состоянии при напряжении 1,1 В против 1,2 В у DDR4.
Памяти много не бывает. Corsair представила модули оперативной памяти DDR5 объемом 24 и 48 ГБ
В совокупности это должно повысить потенциал разгона. Кстати, даже одна планка может работать в двухканальном режиме.
SK hynix представила «первые в мире» чипы DDR5. Емкость модулей может достигать 256 ГБ. Такая скорость позволит модулю памяти передавать по девять фильмов в секунду в высоком разрешении Full HD, размером примерно 5 ГБ каждый. Таким образом, продукт, как заявляет производитель, «заточен» под решение задач с применением технологий больших данных, искусственного интеллекта и машинного обучения.
Это позволяет серверу масштабироваться до десятков терабайт с одной пятой системной задержки по сравнению с модулем CXL предыдущего поколения. Компания отмечает, что это важный шаг на пути к коммерциализации CXL.
Данная технология обеспечит чрезвычайно высокую ёмкость памяти с низкой задержкой.
Хочу поделиться положительным опытом сотрудничества с Индастри Хантер. Первый заказ пришел в течение недели или двух с момента размещения информации о нашей компании. Пришел из города, расположенного более, чем в 3000 км от Москвы. Заказ выполнили в срок, с требуемым уровнем качества. Уже с первого заказа затраты на годовое размещение были в полном объеме скомпенсированы. От этого клиента в первых числах октября 2019 г. Сейчас он в стадии комплектования.
Samsung разработала новый модуль памяти RDIMM
Компания первой в отрасли разработала модуль памяти следующего поколения, который быстрее и эффективнее предыдущего поколения. Помимо смартфонов, последняя версия DRAM компании также будет иметь приложения для высокоскоростной передачи данных, включая 5G, искусственный интеллект AI и метавселенную. Санджун Хван, старший вице-президент и руководитель группы разработчиков DRAM Samsung, заявил: «В последние годы сегменты рынка с гиперподключениями, такие как искусственный интеллект, дополненная реальность AR и метавселенная, которые полагаются на чрезвычайно быструю крупномасштабную обработку данных, быстро расширяется».
По словам инженеров, эти модули направлены в первую очередь на использование в системах с ограниченным количеством слотов для ОЗУ. Например, в системах формата Mini-ITX. Что касается технических характеристик, то о них пока известно мало, единственное, что можно сказать точно, это объем одного модуля — 32 Гб. Старт продаж и продвижение на рынок данных модулей должно начаться с выходом материнских плат на базе чипсетов Intel Z390 и процессоров Intel Core 9-го поколения.
Samsung стал первой компанией в мире, которая представила монолитную микросхему DDR5 ёмкостью 32 Гбит, то есть объемом 4 ГБ. Для этого компания использовала свою 12-нанометровую технологию производства DRAM, которая обеспечивает высокую плотность и оптимальное энергопотребление. Новые микросхемы DDR5 от Samsung позволят создавать различные типы модулей памяти для разных целей. Эти модули состоят из нескольких слоев микросхем, соединенных вертикальными проводами, что увеличивает плотность и пропускную способность памяти. Samsung планирует начать массовое производство микросхем DDR5 ёмкостью 32 Гбит к концу этого года, поэтому первые модули памяти на их основе могут появиться в продаже в конце 2023 года или в начале 2024 года.
Более того, эти чипы делают возможным производство модулей памяти с ёмкостью 1 ТБ, что считалось недостижимым ранее. Эти модули на 1 ТБ могут показаться избыточными на данный момент, но они будут крайне полезны в областях искусственного интеллекта, больших данных и серверных баз данных. Такие модули позволяют серверам поддерживать до 12 ТБ памяти DDR5 на сокет в случае 12-канальной системы памяти.
Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ
| Реестровые SSD-модули оперативной памяти производства ТМИ доступны в Merlion | Как пишет WCCFTech, поддержку модулей памяти на 64 гигабайта планирует реализовать и ASRock. |
| Компания Samsung объявила о начале производства новой оперативной памяти DDR5 | Компьютерра | Модули регистровой памяти Kingston Server Premier DDR4 2666 прошли валидацию для платформы Intel Purley. |
| Samsung разрабатывает новый модуль памяти для ПК, который изменит правила игры | Мир технологий | 24 марта Новости. На конференции по технологиям NVIDIA GPU Technology Conference (GTC), Micron представила огромные модули памяти MCR DIMM DDR5-8800 емкостью 256 ГБ. |
| Samsung представила 32-Гбит чипы DDR5 — они позволят выпускать модули DDR5 объёмом 64 Гбайт | Дебютным продуктом стала линейка высокопроизводительных модулей оперативной памяти DDR1. |
Samsung выпустила первый в отрасли модуль памяти LPDDR5X объёмом 16 ГБ
Это так называемая «небинарная» память. При этом за «ненужные» гигабайты всё равно придётся заплатить. Сокращение числа активных каналов с 12 до 10 может оказаться неприемлемым, как, впрочем, и использование 2DPC в случае Genoa этого режима пока всё равно нет. А вот модули ёмкостью 48 Гбайт для такой системы окажутся идеальными: не придётся переплачивать за лишнюю память или терять в производительности при сокращении числа активных каналов.
Новинка представлена в вариантах объёма на 32 или 64 ГБ. Память поддерживает профили Intel XMP 3. Модули поддерживают напряжение от 1,1 до 1,35 В.
В Samsung полагают, что DDR5 станет основным стандартом вычислений к 2023-2024 годам. В июле стало известно , что компания ZTE готовит смартфон с рекордным объемом памяти. Аппарат должен выйти с оперативной памятью емкостью 20 гигабайт.
Преимущество DDR5 не только в росте эффективной частоты до 10 ГГц и выше, более широкой полосе пропускания, но и в повышенной энергоэффективности, ведь по умолчанию она требует более низкого напряжения. Помимо этого, в модули встроены контроллеры питания для снижения потерь тока и помех. В совокупности это должно повысить потенциал разгона.
В ближайшее время стоимость модулей оперативной памяти DDR5 может резко вырасти
Модуль со стандартом CXL 1.1, интерфейсом PCI Express 5.0 и форм-фактором E3.S содержит микросхемы памяти NAND и может использоваться для относительно недорогого расширения. Данная технология компании использует часть доступной емкости в качестве флэш памяти NAND SLC (1 бит на ячейку), что называется режимом Hyper cache. Также на модулях памяти есть настраиваемая подсветка и возможность разгона по частоте до 6,6 ГГц, так что охлаждение явно потребуется. В рамках мероприятия Intel Memory and Storage Day крупнейший чипмейкер планеты показал рабочую станцию на основе процессора Xeon Cascade Lake и фирменной памяти Optane DC. Модули регистровой памяти Kingston Server Premier DDR4 2666 прошли валидацию для платформы Intel Purley. Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024.
Компания Crucial представила модули памяти DDR5 для ноутбуков и настольных компьютеров
Первый в отрасли модуль стандарта DDR5 с поддержкой интерфейса CXL может иметь объём до 1 ТБ и обеспечивает минимальные значения задержки. По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Расширение линейки модулей памяти DDR4 формата R-DIMM 8-64 ГБ от компании MMY.
Samsung представила первый в отрасли модуль памяти для ИИ с интерфейсом CXL
| Статьи на тему: Оперативная память | Новости / Технологии → SK hynix планирует создать модуль памяти GDDR7 объёмом 3 ГБ со скоростью передачи данных 40 Гбит/с. |
| Micron разработал модуль памяти для ЦОД на 128 ГБ | Инновационная микросхема состоит из массива модулей памяти, каждый из которых имеет размер 15 мкм в длину и 0,7 мкм в ширину, что сопоставимо с размером эритроцита. |
| Статьи на тему: Оперативная память | Все модули памяти поддерживают технологии Intel XMP 3.0 и AMD EXPO, ODECC. |
| RU190135U1 - МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ МОДУЛЬ ПАМЯТИ - Яндекс.Патенты | В DDR5 она располагается на самом модуле оперативной памяти, а не на материнской плате. |
| "Китайсикий кацсества - оцсень-ня, оцсень-ня холосый кацсества"(С) дядюшка Ляо, однако... | В DDR5 она располагается на самом модуле оперативной памяти, а не на материнской плате. |
"Китайсикий кацсества - оцсень-ня, оцсень-ня холосый кацсества"(С) дядюшка Ляо, однако...
Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах. Новый модуль способен обеспечить скорость обработки до 8.5 гигабит в секунду. При этом отмечается, что он потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с памятью LPDDR5. Хотя он и сделал ещё в 40-х ртутную линию задержки для РЛС и модуль памяти для EDVAC.
Samsung работает над модулями памяти DDR5 объемом 1 ТБ
По данным пресс-службы ЛЭТИ, ее можно использовать для конструирования оперативной памяти оптических вычислительных устройств. Компания Samsung продемонстрировала публике первые модули памяти GDDR7 для видеокарт в рамках выставки GTC 2024. Micron начала испытательный выпуск образцов модулей памяти DDR5 на 128 ГБ, основанных на монолитных кристаллах.